Разделы
Рекомендуем
|
Автоматическая электрика Аналоговые вычисления Операционные конденсаторы. Основными точностными характеристиками операционных конденсаторов являются: допуск на номинальную емкость при изготовлении, температурный коэффициент емкости (ТКЕ), коэффициент нестабильности, сопротивление утечки диэлектрика, тангенс угла потерь, коэффициент абсорбции. Допуск на номинальную емкость при изготовлении Таблица 6.3
100%, где Сд и Сд - действительное и номинальное значения емкости конденсатора. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) бткЕ (tf - t) Cjsoc 100%. Значение емкости зависит не только от текущей температуры, но и от предыдущих колебаний температуры (явление термогистерезиса). Максимальное изменение емкости пленочных конденсаторов достигает величины 0,1% после действия температурных циклов от -70 до + 120° С [42]. Сопротивления диэлектриков ре- альных конденсаторов имеют конечные величины. Наибольшими значениями этих сопротивлений обладают полистироловые конденсаторы (табл. 6.5). Отечественные нормы обычно о гарантируют значение не менее 10 ООО МОм/мкФ при 20° С. Влияние сопротивления утечки по поверхности конденсатора, которое шунтирует его емкость, обычно устраняется установкой сплошного проводящего заземленного экрана. Сопротивление диэлектрика конденсатора существенно зависит от температуры (рис. 6.3). На рассеяние энергии в конденсаторе влияет также свойство процесса поляризации диэлектрика - абсорбция диэлектрика, которая приводит к Таблица 6.4
Таблица 6.5
* Полистироловые. Фторопластовые. Приме ] айв е. преввшает 0,1. Коэффициент абсорбции Ка Для всех типов конденсаторов не частотно Зависимым потерям энергии в конденсаторе. Проявляется абсорбция в запаздывании полной поляризации диэлектрика от изменения прикладываемого к обкладкам конденсатора напряжения. Коэффициент абсорбции это отношение напряжения U, восстановившегося на зажимах конденсатора через время Tg с момента устранения кратковременного (на с) замыкания зажимов накоротко, к зарядному напряжению t/3, которое прикладывалось к конденсатору до его замыкания накоротко в течение бремени Tfi Рис. 6.3. Кривая зависимости сопротивления диэлектрика конденсатора от тем-. пературы. Величина Kg в значительной степени зависит от значений величин т, V Наименьшие значения Kg имеют в настоящее время полистироловые (диэлектрик - полистирол) и фторопластовые (диэлектрик - политэтрафторэтилен) конденсаторы. Для этих типов конденсаторов измеренный при tj = 1 мин, = 1 о, тз = 30 с коэффициент абсорбции /Сд < 0,1. Влияние эффекта абсорбции и сопротивления диэлектрика аппроксимируют при анализе качества конденсатора линейной моделью (рис. 6.4). В модель входит: С (оо) - значение емкости, соответствующее количеству электрического заряда, который может накопиться на обкладках конденсатора после подключения их к источнику напряжения за малый промежуток времени At-Q; Гцрр.р - сопротивление диэлектрика (сопротивление утечки диэлектрика); г Ci - элементы, которые моделируют эффект абсорбции. Для полистиролового конденсатора (1 мкФ, 200 В) данная модель пригодна [29] в диапазоне частот 0-100 Гц (г о = ЮвМОм; п = 2,6 ЮвМОм, С, = бОпФ; Г2=1,2- ЮЭДОм, Сг = 132пФ; з = 7,8 ЮМОм, Q = 200пФ; ...). Рис. 6,4. Электрическая схема замещения конденсатора: а - линейная;, 6 - нелинейная. Операторное выражение для сопротивления эквивалентной схемы (рис. 6.4) конденсатора С(оо) + пост 1 + ГьС, рСТЙ В установившемся режиме при синусоидальных входных напряжении и токе С (/ш) = С (ос) + .Л- + V = I с (/со) I еСС(/ >]. ft ft Величина arg [С (/ш)] = D (to) [29] - коэффициент потерь (тангенс угла потерь) в конденсаторе - учитывает как сопротивление диэлектрика, так и поглощение энергии в диэлектрике, т. е. эффект абсорбции. На частотах выше 0,005 Гц влияние величины на D (to) мало по сравнению с влиянием элементов г(, С(. Поэтому величину D (to) считают [29] приближенно равной коэффициенту абсорбции диэлектрика. Для модели конденсатора, показанной на рис. 6.4, б, комплексная проводимость схемы = -rW + * ft=i СэфН = С(оо)+ . l+toVC;, (6.25)
|
© 2010 KinteRun.ru автоматическая электрика
Копирование материалов разрешено при наличии активной ссылки. |