операция начинается с сушки при комнатной температуре. Затем проводят предварительное задубливание при 80- 120° С; температура задубливания зависит от природы, толщины слоя и назначения резиста. Можно использовать инфракрасное облучение. При прямой печати и травлении предварительное задубливание в случае применения хрупких резистов может привести к ухудшению разрешения и заметному эффекту подтравливания. Для целей маскирования при нанесении резистивного гальванического покрытия предварительное задубливание нужно проводить в полной мере, предупреждая тем самым возможное отслаивание резиста в растворах.

16. Печать (экспонирование)

Общая часть. Следующим этапом после нанесения на фольгу и предварительного задубливания фоторезиста яв- ляется экспонирование, или контактная печать схемы. Для резистов негативного действия .это равнозначно переводу экспонированных участков резиста в полимеризован-ное нерастворимое состояние. Важнейшим условием для получения высокого разрешения является использование точечного источника света или коллимированного пучка. Однако для этой цели подходят в принципе и источники света, которые нельзя рассматривать как точечные: угольно-дуговые, ртутные лампы и иногда вольфрамовые лампы накаливания. Оптимальное время экспозиции зависит от типа и толщины слоя резиста и от расстояния от источника света до платы.

Двухсторонняя печать. Для двухсторонней печати наилучшее совмещение верхней и нижней схем достигается при пригонке, совместной обработке базовых краев или использовании базовых технологических отверстий.

Когда технологические отверстия или штыри не используются, пленки обычно складывают вместе и пригоняют их одна к другой на просветном столе (эмульсией к эмульсии). После точной пригонки пленки склеивают за один край липкой лентой через холостую прокладку, имеющую ту же толщину, что и заготовка платы, на которую предстоит печатать схему. Совпадение схем затем проверяют и вновь корректируют, если нужно. Прокладки можно выполнить из того же фольгированного диэлектрика. Если

Плита А 1 Плита В

для применения какого-либо метода индексации площадь заготовок слишком мала, высокую точность совмещения можно получить при использовании пары штырей из инструментальной стали, выполненных по диаметру как можно ближе к половине толщины заготовки (рис. 4.2). На верхушке каждого штыря нанесены координатные риски и выполнены развернутые отверстия под шлифованные базовые пробойники. Пленки выставляют, как и в прошлый раз, на просветном столе, только на этот раз эмульсией наружу (блестящими сторонами одна к другой). Полезно применить микроскоп. Для выставления пленок по общему краю fl f.

можно использовать обоюдо- АГ~ и

липкую ленту (не удаляя за-

щитной пленки). f -

Неглубоко посадив штырь в плиту В через плиту А и Рис. 4.2. Штыри для совме-разместив плиту А над пли- той в с зазором не менее 1 мм, помещают между ними

край пленки с наклеенной обоюдолипкой лентой (сняв перед этим с ленты защитную пленку). За исключением этого свободного края, фотопленка должна быть плотно приклеена к поверхности просветного стола. Поместив край фотопленки между двумя стальными плитами, их прижимают одну к другой, и фотопленка приклеивается к плите А. После этого фютопленку можно отлепить от поверхности просветного стола. Убрав штыри и подложив плиту А с приклеенной к ней пленкой под плиту В и вновь установив штыри, получают положение пленок эмульсией к эмульсии . Можно плиты сделать поворот-ньши на петле, но это равносильно ухудшению точности совмещения за счет люфта в петле. У пленок должен быть свободный от рисунка край.

Находит применение также и способ, состоящий в совмещении пленок, эмульсией к эмульсии , пробивке и последующем размещении на копировальной рамке с базированием на установочные штыри.

Другой способ заключается в совмещении негатива с отверстиями заготовки платы, закреплением его на заготовке, затем совмещении позитива с негативом, закреплении позитива на плате и удалении негатива (рис. 4.3).

147 10*

Завалы. Для получения высокого разрешения очень важно ограничить рассеяние света при экспонировании. На резистах как позитивного, так и негативного действия между покрытой резистом поверхностью фольги и поверхностью самого резиста могут образовываться небольшие

Липкая лента

УешнаВзчныг булавки

Верхняя пленка

Ни/кнпя пленка

Рис. 4.3. Ралша для двухстороннего экспонирования фоторс.чпстов.

закругления. Их принято называть завалами. Примеры завалов приведены на рис. 4.4. Это явление объясняется, в частности, разной степенью полимеризации участков резиста во время экспонирования в результате явления

диффузии света под пленку под некоторым углом и отражения от поверхности фольги. Во избежание такого явления следует уменьшать толщину слоя фоторезиста, применять параллельный пучок экспонирующего света, должным образом проводить разбрызгивание или центрифугирование, избегать пересушивания или засветки слоя до экспонирования.

На резистах позитивного действия явление имеет геометрически обратную картину. Благодаря этому свойству резисты позитивного действия могут обеспечить несколько лучшие результаты при печати. Эти эффекты показаны на рис. 4.5.

Требования к качеству. Главное требование при экспонировании - чистота и обеспыленность окружающей среды. Это важно не только для точного воспроизведения схемы, но и для снижения возможности механического поврежде-

Рис. 4.4. Металлографический шлиф поперечного разреза печатной платы, демонстрирующий завал фоторезиста.