ных порошков. Пемза и другие твердые абразивы очень быстро повреждают поверхность резиста. Для очистки может применяться обработка в обычных ш.елочных растворах или электролитах при игмпературе до 80° С. Время обработки не. должно превышать 30 сек Обработка в ш.елочи при температуре выше 80° С приводит к разрыхлению и сползанию резиста. Если при обработке в гальванической ванне плотность тока выше расчетной, на поверхности резиста может высадиться металл. Эти наросты, появившиеся из-за наличия проколов в слое резиста, обычно удаляются при снятии самого защитного слоя. Если их не удалить, травление не будет равномерным и чистым. Схема технологического процесса выполнения рисунка и травления плат с использованием виниловых резистов имеет следующий вид:

1. Обезжиривание в щелочном растворе (обработка тампоном, окунанием или электрохимическим методом при температуре 65° С).

2. Промывка в воде.

3. Обработка в 20%-?юм (по объему) растворе соляной кислоты.

4. Промывка в воде.

5. Обработка в 20%-ном (по объему) растворе персульфата аммония в течение 30-60 сек.

6. Промывка в воде.

7. Обработка в 5-10%-ном (по объему) растворе серной кислоты.

8. Промывка в воде.

9. Проверка участков медной фольги, подлежащих травлению, на отсутствие несмоченных разрывов. В случае их наличия или присутствия окислов необходимо повторить предыдущие операции.

10. Травление.

И. Промывка в воде.

12. Нейтрализация после травления.

13. Промывка в воде.

14. Сушка в струе воздуха.

15. Удаление резиста в метилэтилкетоне (МЭК) или других растворителях (см. раздел о растворении резиста).

16 Промывка в чистом растворителе для обеспечения пол?юго удаления резиста.

17. Очистка платы мягкой щеткой и декопирование.

18. Промывка в воде.

19. Обработка в 5%-ном (по объему) растворе серной кислоты.

20. Промывка в деионизирован?юй воде (при комнатной температуре).

21. Сушка в струе воздуха.

2. Фоторезиста

Фоторезисты служат для тех же самых целей, что и защитные резисты для сеткографии. Как и резисты для сеткографии, фоторезисты могут быть использованы для печати как негативного, так и позитивного рисунков на фольгировапных диэлектриках. Хотя прочность фоторезистов

меньше, чем сеткографических резистов, с их помощью можно получить более тонкие линии и они обладают большей разрешающей способностью. Сравнение фоторезистов и резистов для сеткографии приведено в гл. 4. Настоящий раздел касается свойств и процессов работы с фоторезистами.

Как правило, позитивные и негативные резисты в кислотных растворах обеспечивают лучшую защиту покрытого металла, чем в щелочных. Более стойкими к щелочным растворам являются негативные резисты. После экспонирования и проявления эти резисты уже не являются светочувствительными, а следовательно, дальнейшая обработка и хранение могут происходить при дневном свете. Позитивные резисты остаются светочувствительными даже после проявления и должны быть защищены от дневного света.

Повышение температуры растворов увеличивает их химическую активность и вызывает набухание фоторезистов, фоторезисты, которые могут быть высушены при высокой температуре, менее других подвержены воздействию обрабатывающих растворов повышенной температуры. Некоторые негативные фоторезисты, которые невозможно сушить при высокой температуре, снижают свою адгезию с повышением температуры растворов, применяемых для обработки. Более толстые слои фоторезистов имеют большую стойкость. Однако нужно иметь в виду, что более толстые слои хуже проявляются и не могут обеспечить нужную точность рисунка. Позитивные резисты обычно разрушаются от воздействия высокой температуры, особенно в щелочных растворах. Среди этих резистов самым стойким является резист типа AZ-340 в толстых слоях. Дополнительные сведения о различных свойствах фоторезистов приведены в гл. 4.

Технологический процесс травления меди при использовании фоторезистов аналогичен с некоторыми изменениями (указанными ниже) описанному для сеткографии. Перед травлением или обработкой в гальванической ванне должно производиться тщательное обезжиривание. Хорошие результаты дает протирка ватным тампоном, смоченным в щелочном растворе. Фоторезистивные пленки даже после обработки при высокой температуре нестойки к обработке абразивами. Лучшая механическая, как и химическая, стойкость соответствует большей толщине пленки. Электрохимическое обезжиривание не рекомендуется, поскольку оно может привести к разрушению пленки фоторезиста и вызвать ее отслаивание.

291 19*

Рекомендуется следующая обработка перед травлением. Для легкого протравливания применять персульфат аммония, катализированный хлоридом двухвалентной ртути, с последующим тщательным промыванием в струе воды. Затем проводить декапирование в 10%-ном растворе серной кислоты и снова промыть. Такая обработка дает хорошие результаты и не ухудшает никаких свойств наиболее распространенных фоторезистов. Установлено, при применении позитивных резистов хорошие результаты дает погружение плат в кислоту непосредственно перед обработкой их в гальванической ванне или перед травлением. Это связано с тем, что позитивные фоторезисты проявляются в щелочном растворе и в результате может произойти образование основной соли меди на поверхности. Трудности, которые могут встретиться при использовании негативных резистов, перечислены ниже.

I. Разрушение слоя фоторезиста в процессе счистки обычно объясняется нанесением резиста на окисленную поверхность, которая не прошла обработку крацевальными щетками. В этом случае резист не может также достаточно долго быть подвергнут тепловому воздействию. Для получения хорошей адгезии плату следует обработать следующим образом: протравить в персульфате аммония, промыть водой, произвести декапирование в кислоте, снова промыть водой, просушить, охладить, после чего нанести фоторезист. Полезно также перед указанной химической обработкой провести краце-вание латунными щетками (см. гл. 4). В этом случае необходимо убедиться, что резист хорошо задублен. Разрушение резиста может произойти при гальванической обработке особенно в цианистых ваннах. Причины разрушения подобны описанным выше.

2. Проколы (поры) в слое фоторезиста часто связаны с попаданием частиц твердых тел, воды или масла в воздух, применяемый для сушки или нанесения резиста пульверизацией. Средства предотвращения: использование анодных фильтров н жидкостных ловушек. Нельзя допускать взбалтывания резиста на воздухе. Необходимо убедиться, что плата до покрытия ее резистом хорошо высушена. Прогрев платы перед нанесением покрытия удаляет из нее поглощенную влагу. Брак, связанный с наличием пор в слое резиста, может быть снижен использованием фильтров и водяных ловушек при подаче воздуха, а также исключением возможности попадания воздуха в фоторезист при нанесении последнего.

3. Большое подтравливание при травлении. Передубленные фоторезисты становятся хрупкими и могут разрушиться во время травления, обнажив большую поверхность металла. Результатом является избыточное подтравливание. Методы травления и условия, которые влияют на появление подтравливания, будут подробно рассмотрены ниже. Подтравливание не возникает при применении эластичных фоторезистов, которые защищают края при травлении сверху вниз. Фоторезисты такого типа уже освоены промышленностью.