для расчета цепей с транзисторами

Таблица 9-2

1 -, 1

г 1

-1 О

1 1 г.

г, + Zj

1 -z,

zj z,zj

z>

1

L г.

zi-bzj

z,z, z, -z, 1

r 1

1 z,

L z.

J

zi-b

гг -j- zs Ze -b za -z, 1

zj+z, z2-bz,

z,-b z2

Lzi + z.

z,-b

z,-j-z,

zizg

z, + za J

,-)-z,-f

z.z.

L z,

1- -

z. J

Bi + Уг

i/, -J-

У1+Уг й + is

г/г-His {г

У г + У,

Уг + Ва 1

У,-(-Р.-Ь

1 +

Р J

ГО -п п О

Схема четырехполюсника

Название схемы

Идеальный трансформатор с согласованным включением обмоток

Разорванный четырехполюсник

г. О О гг

Таблица 9-3

Матрицы производных четырехполюсников для расчета транзисторных схем

Схема соединения

Назважие соединения

Тип уравнения, характеризующий соединение

Формула расчета параметров

Параллельное

\у\ = [г/] + W\ = W +

- [2]

Последовательное

Пселедовательно-параллельное

Параллельно-последовательное

(gl = [g] + [g l = (g + fi ]

0-0-

-0 -0

Цепное

1а]= [а1 X [аЧ lb] = (Ь 1 X [Ь1

четырехполюсника (при этом необходимо ним эквивалентным четырехполюсником, перейти к г-цараметрам) и т. д. до тех Параметры последнего являются парамет-иор, пока вся схема не будет заменена од- рами всей схемы.

Продомюение табл. 9-2

о п -п О

О 1

га J

га J

При включении транзистора по схемам с общей базой, с общим эмиттером или с общим коллектором одни и те же параметры эквивалентного четырехполюсника приобретают различные значения. Поэтому, кроме цифровых индексов, для полной однозначности к обозначению каждого параметра принято добавлять еще один буквенный индекс (б, э, к), соответствующий названию общего электрода (например, Zii6-входное сопротивление при х. х. выходной цепи в схеме с общей базой.

/i2is - коэффициент усиления по току при к. 3. выходной цепи в схеме с общим эмиттером) .

Значения малосигнальных параметров транзистора в различных схемах включения также однозначно связаны между собой, и всегда возможен переход от параметров для одной схемы включения к параметра для другой схемы включения. Точные соотношения для пересчета /i-параметров приведены в табл. 9-4.

Таблица 9-й

Соотношение между /г-параметрами транзистора в различных схемах включения

116 126 21б 226

э-12Э+21э+1

-hh-h.

11э

%-12б+216+1

llK *12к 21К 22К

6-l26+2l6+l

21Э б-216

-th-h.

126-

э-12э

22Э б-12б

ПК к+21к

12к-к

Ик -21К-1

1-ft.

12к

22к

1-*12э

В области низких частот, которая для различных типов транзисторов может ограничиваться частотами от единиц до сотен килогерц, все параметры эквивалентного четырехполюсника практически не зависят от частоты и выражаются вещественными числами, причем z- и {/-параметры часто обозначают буквами г я g соответственно. Кроме того, в области низких частот обычно хорошо удовлетворяются соотношения

гц. С 21, 222

Ун, у21 12. f/22

А,1 h,\

Й12 1

Это позволяет

для схемы с ОБ и с ОЭ

упростить пересчетные формулы, приведенные в табл. 9-4 для Л-параметров:

1 + 216

hizs =

/l2l9 =

Й22Э =

hii6 = hiz6 ~

Й216 =

hue 286 1+Й216

fhm

!+/j216

/г22б

I +Й21б

hii3

1+Й21э* 113 22э 1 + Й21Э

fhl3

I+A21,

1 + llK = /11э=

1+Л216

(9-94)

(9-95)

(9-96) (9-97)

(9-9&) (9-99) (9-100) (9-101)