личину анодного тока измеряют отдельно для каждой части лампы.

Проверка относительного состояния вакуума (рис. 18-67). После измерения анодного тока нажатием кнопки вакуум в цепь управляющей сетки включают резистор Rc сопротивлением 50-100 ком. Если при этом изменение анодного тока не превышает 5% от его исходного значения, то вакуум в лампе считается достаточно высоким. При пониженном вакууме протекающий в цепи сетки ионный ток создаст на резисторе Rc положительное падение напряжения, вызывающее заметное возрастание анодного тока.

Проверка контактов внутри лампы (рис. 18-67). В некоторых приборах (Л1-2) предусмотрена возможность подключения анодной цепи испытываемой лампы через разделительный конденсатор Ср и зажим Пр к низкочастотному входу радиоприемника. При наличии внутри лампы плохих контактов легкое постукивание по ее баллону или цоколю приведет к колебаниям анодного тока, которые прослушиваются через громкоговоритель приемника в виде тресков.

Измерение крутизны характеристики триодов и многосеточных ламп (рис. 18-68). Определение крутизны производится на прямолинейном участке анодно-сеточной характеристики лампы, что достигается соответствующим выбором напряжения автоматического смещения t/c На управляющую сетку лампы подают калиброванное переменное напряжение Д1/с равное, например, 1 е. Соответствующая ему переменная составляющая анодного тока Д/а измеряется миллиамперметром переменного тока, который благодаря трансформаторному включению защищен от воздействия постоянной

Рис. 18-68. Схема измерения крутизны характеристики радиоламп.

составляющей тока. Крутизна характеристики S = Д/а/Д{/с отсчитывается непосредственно по шкале миллиамперметра; изменение пределов измерения крутизномера обычно производится ступенчатым изменением Шс .

Проверка стабилитронов (рис. 18-69). Как известно, стабилитроны работают в режиме нормального тлеющего разряда, который характеризуется тем, что при изменении тока через стабилитрон в определенных пре-

делах от /мин до /макс (обычно от 5 до 40 ма) падение напряжения на нем остается практически постоянным с точностью до 2-3%. Испытуемый стабилитрон подключается к источнику постоянного напряжения и, величина которого должна превышать напряжение зажигания стабилитрона на 20-50 е. Сопротивления резисторов

Рис. 18-69. Схема испытания стабилитронов.

Ri и /?2 выбирают такими, чтобы при отжатой кнопке К в цепи протекал ток /мин. а при нажатой кнопке -ток /макс- Напряжение иа стабилитроне Uci измеряется вольтметром V. Разность показаний вольтметра Ш при нажатой и отжатой кнопке К определяет величину нестабильности напряжения стабилизации, которая для различных типов стабилитронов не должна превышать 2,5-6 в. Напряжение зажигания t/заж определяется при постепенном повышении напряжения и.

18-18. ИСПЫТАТЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Проверка диодов. Детекторные свойства диодов приближенно оценивают по значениям их обратного и прямого сопротивлений До и Дп или токов /о и /п, измеренных при различных полярностях приложенного к диоду напряжения 1 в. По результатам измерений находят коэффициент выпрямления диода

/Св =

До Дп

Измерение сопротивлений Ro и Дп можно производить омметром с входным сопротивлением порядка 1 ООО ом, питаемым от сухого элемента на 1,2-1,5 е. Принцип измерения обратного тока /о поясняется схемой на рис. 18-70. В положении переключателя Установка переменным резистором R\ устанавливают на проверяемом диоде Д обратное напряжение 1 в; оно измеряется вольтметром на 1 в, который образуется миллиамперметром тА и резистором R. При переводе переключателя в положение Измерение миллиамперметр, имеющий сопротивление /?ма. и резистор Ri сопротивлением /?ма меняются местами и прибор измеряет обратный ток /о; При необходимости измерения прямого тока /п изменяют полярность включения диода в схему.

Для испытания смесительных (приемных) детекторов применяются приборы Л2-3. Л2-4, Л2-5, Л2-6.

Испытание плоскостных транзисторов.

Наиболее удобными для измерений параметрами транзисторов, позволяющими достаточно полно судить об их качестве, являются обратный ток коллекторного перехода /к.о> коэффициент усиления по току а или Р и смешанные /i-параметры.

Режим испытания транзистора задается напряжением смещения на коллекторе Uk и током смещения эмиттера h. Для создания которых используются источники постоянно-

Рис. 18-70. Схема измере- Рис. 18-71. Схема мз-ния обратного тока полу- мерЁиия обратного ироЕОДНИкового диода. тока коллекторного

перехода /.q-

го тока. Измерение параметров часто производят на низких частотах - порядка 200- 400 гц, источниками колебаний которых являются встроенные транзисторные генераторы; результаты таких измерений дают активные составляющие параметров, что для многих практических случаев оказывается достаточным. Для испытаний транзисторов на высоких частотах обычно используются внешние высокочастотные генераторы; при этом измеряют коэффициент а, или р, емкость коллекторного перехода Ск, объемное сопротивление базы г или постоянную времени коллекторной цепи rg С. Значения переменных составляющих токов определяются посредством измерения падений напряжений на калиброванных резисторах небольшого сопротивления, включенных в цепи этих токов, при помощи встроенного транзисторного милливольтметра с большим входным сопротивлением. Для испытания транзисторов различных типов предусматривают переключатель р-п-р - п-р-п, позволяющий изменять полярность напряжений на электродах проверяемого транзистора и полярность включения измерителя постоянного тока.

Обратный ток коллекторного перехода /к.о характеризует температурную и временную стабильность транзистора. Измерение /к.о производится на постоянном токе при разомкнутой цепи эмиттера (рис. .18-71) с отсчетом по измерителю (микроамперметру) милливольтметра. У хороших транзисторов ток /к.о не превышает допустимого значения, указанного в паспорте, и не возрастает в процессе испытания,

Коэффициент усиления по току а = Д/к/Д/э

измеряется по схеме на рис. 18-72, а (с общей базой). Напряжение (7- создает в цепи эмиттера калиброванное приращение тока которое достигается выбором

сопротивлений

Rl /?ЕХ и R2 /?ЕХ,

(где Rex - сопротивление эмиттерного перехода) при сравнительно большой емкости разделительного конденсатора Сь При этом ток базы увеличивается на Д/б= (1-а)Д /д Шкала милливольтметра mV, показания которого пропорциональны току Д/б, градуируется в значениях (1-а) или непосредственно в значениях а.

Измерение коэффициента усиления по току

Р = Д/к/Д/б

производится по схеме на рис. 18-72, б (с общим эмиттером). Напряжение (7-создает в цепи базы калиброванное приращение тока Д/б=(7- /Rl. При этом ток коллектора получает приращение Д/к=рД/б. что позволяет щкалу милливольтметра проградуировать в значениях р.

Рис. 18-72. Схемы измерения параметров транзисторов о и ftjjg (а) и р и ftjjg (б).

Смешанные /i-параметры характеризуют связи между входными и выходными цепями транзистора, рассматриваемого как четырехполюсник, в соответствии с уравнениями:

At/i = AiiA/j + fti2At/2; Д/2 = ft2iA/i -f ЛггАС/а.

где At/i и All, tVi и A/г - переменные составляющие (приращения) напряжения и тока, отнесенные соответственно к входу и выходу транзистора.

Для обозначения схемы включения (с общей базой, эмиттером или коллектором), в которой снят Л-параметр, к индексу последнего добавляется буква б, э или к.

Рис. 18-73. Схема измерения параметров транзисторов /ijgg к ftgjg.

При коротком замыкании на выходе, т. е. при At/2=0, могут быть определены параметры Aii = AC/i/A/i (входное сопротивление транзистора) и А21=Д/2/Д/1 (коэффициент усиления по току), причем

/1216 = Д/к/А/э = а

Asia = А/к/А/б = Р-

Схемы на рис. 18-72 пригодны соответственно для измерения параметров

Аш = АС/э.б/А/э

fells = АСэ.б/А/б-

При установке переключателей в положение Ац милливольтметр в обеих схемах измеряет приращение входного напряжения Шэ.с, которое при фиксированном значении входного тока пропорционально параметру Ац.

При разомкнутой по переменному току входной цепи, т. е. при A/i=0, могут быть определены параметры Ai2= At/i/At/j (коэффициент обратной связи по напряжению) и А22=А/2/А1/г (выходная проводимость транзистора). Схема измерения параметров Ai26 и А226 приведена на рис. 18-73. Режим холостого хода создается на входе выбором достаточно большого сопротивления Дг-В цепь коллектора через трансформатор Тр вводится калиброванное переменное напряжение А к. При установке переключателя в положение А226 показания милливольтметра будут пропорциональны приращению

коллекторного тока А/к=А22бА/к. В положении переключателя А126 прибор измеряет приращение входного напряжения А э.б = = А12бА к. Аналогичным образом строится схема для измерения параметров Л12Э и

А22Э-

В некоторых испытателях производится измерение г/-параметров транзисторов. Наиболее сложные испытатели позволяют снимать семейства эмиттерных и коллекторных характеристик транзисторов. Для автоматического получения семейств этих характеристик путем непосредственного их воспроизведения на экране осциллографа применяются характериографы.

Примером простого испытателя транзисторов может служить прибор Л2-1 (ИПТ-1), позволяющий измерять на низкой частоте (270 гц) параметры а, / .о и Лггб- К более сложным испытателям относится прибор Л2-2 (ИППТ-1), который позволяет измерять на частоте 270 гц параметры а, /к.о,

116, Al26. 226. J/226. lis. А12Э. ?/22э.

на частоте 465 кец - Ск на частотах 0,1- 5 Мгц - С и на частотах 0,1-10 Мгц-а.

ЛИТЕРАТУРА

1. Шкур ни Г. П., Справочник по электроизмерительным (т. I) и радиоизмерительным (т. II) приборам, Воениздат, 1960.

2. О с и п о в К. Д. и Пасынков В. В., Справочник по радиоизмерительным приборам, части 1, 2, 3, 4 и 5, изд-во Советское радио , 1959-1965.

3. Новопашенный Г. Н. и Новицкий П. В., Электронные измерительные приборы, изд-во Энергия , 1966.

4. П о л у л я X К. С, Электронные измерительные приборы, изд-во Высшай школа . 1966.

5. ВалитовР. А. и Сретенский В. Н., Радиоизмерения иа сверхвысоких частотах. Воениздат, 1958.

6. А н ц е л и о в и ч Е. С. Радиотехнические измерения, Госэнергоиздат, 1958.

7. Р е м е 3 Г. А., Радиоизмерения, изд-во Связь , 1966.

8. С о р к и н И. М., Основы радиоизмерительной техники, Госэнергоиздат, 1962.

9. Валнтов Р. А., Радиотехнические измерения, изд-во Советское радио , 1963.

10. Т е р е га и н Г. М., Радиоизмерения, Госэнергоиздат, 1963.

П. Меерсон А. М., Радиоизмерительная техника, изд-во Энергия , 1967.

12. Чех И., Осциллографы в измерительной технике, нзд-во Энергия , 1965.

13. М и р с к и й Г. Я-, Радиоэлектронные измерения, изд-во Энергия , 1964.

14. Справочник по радиоэлектронным измерениям, под ред. Доброхотова, т. I, II, изд-во Энергия , 1965

15. Б о н ч - Б р у е в и ч А. М., Радиоэлектроника в экспериментальной физике, нзд-во Наука , 1966.

16. Б а л а ш о в Б. П. и др.. Автоматизация радиоизмерений, изд-во Советское радио , 1966.

17. Г л а д ы ш е в Г. И., В а т у р а В. Г., Воронцов А. Н., Краткий справочник по радиоизмерительной аппаратуре, Киев, изд-во Нау-кова думка , 1965.