Разделы
Рекомендуем
|
Автоматическая электрика Прессование многослойных схем 8. Промывка под душем деионизированной водой (холодной). 9. Сушка. Обдув сухим чистым воздухом. 9. Последовательность операций процесса гальванической металлизации с наращиванием жди по рисунку печатного монтажа ( избирательное наращивание ) Сеткография 1. Нанесение рисунка схемы на плату кислотостойкой краской через сетчатый трафарет на одну сторону. Установка на стойку. 2. Сушка (от 60 до 91° С) до высыхания. 3. Нанесение рисунка схемы на другую сторону платы. Установка на стойке. 4. Сушка (см. п. 2). 5. Ретуширование. 6. Окончательная сушка при температуре от 120 до 140° С - от 20 до 30 мин в печи с циркуляцией воздуха. Гальваническое наращивание 1. Декапирование в 33%-ной (по объему) соляной кислоте. 2. Промывка деионизированной водой. 3. Гальваническое наращивание меди. Толщина в отверстиях от 25 до 75 мкм. 4. Промывка под душем деионизированной водой. 5. Гальваническое наращивание металлическогорезиста. 6. Промывка водой. 7. Нейтрализация (для плат с золотым покрытием). 8. Промывка под душем деионизированной водой. 9. Промывка горячей деионизированной водой. 10. Сушка. Обдув сухим чистым воздухом. Контроль. Образец подвергается определению толщины покрытия при помощи микроскопа. Травление. 1. Удаление органического резиста. 2. Очистка щелочью или механическая зачистка. Горячая щелочная очистка (электролитически). Протирка с помощью жесткой щетки и промывка. 3. Травление незащищенной меди. Хлорное железо для золота. Персульфат аммония для сплава олово - никель. Хромовая смесь для сплава олово - свинец. 4. Промывка водой под душем. 5. Обработка в 10%-ной соляной кислоте или 5-10%-ной щавелевой - при травлении в хлорном железе; в 5%-ной H2SO4 при травлении персульфатом аммония или хромовой смесью. 6. Промывка водой под душем. 7. Сушка. Обдув чистым воздухом. 10. Сравнение двух способов гальванической металлизации Органические резисты. При сплошном наращивании меди основная часть гальванического процесса (меднение) выполняется до нанесения органического резиста. Это дает возможность использовать фотопроцесс так же успешно, как и сеткографию. При способе избирательного наращивания меди сеткография более пригодна, и ее применение почти обязательно. Фоторезисты могут давать линии шириной 0,025 мм с точностью 0,0025 мм и лучше. Применение сеткографии ограничено линиями шириной 0,12-0,25 мм. Фотоспособ более практичен при выпуске малых партий (до 15 плат), когда как сеткография .экономичнее при выпуске большого количества плат. Гальваническое наращивание меди. С производственной точки зрения привлекательнее способ избирательного наращивания, так как для его выполнения требуется на шесть операций меньше. При этом также сокращается расход энергии и материалов. При способе сплошного наращивания допустимо использовать более высокие плотности тока, чем при способе избирательного наращивания, так как при нем отсутствуют изолированные участки контактных площадок и проводников, которые могут действовать как участки с повышенной плотностью тока. Значение тока при способе сплошного наращивания менее критично, электролит не загрязняется органическим резистом. Травление. Продолжительность травления больше для плат, выполненных способом сплошного наращивания: это увеличивает опасность пробоя металлического резиста и большего подтравливания ширины печатных проводников. Травящий раствор быстро расходуется, что вызывает увеличение времени травления и снижение качества продукции. Увеличение времени травления требует увеличения толщины покрытия золотом, сплавами олово - никель или олово - свинец для предотвращения их пробоя. При процессе с избирательным наращиванием толстый слой делается только там, где он требуется. Это обеспечивает меньшее время травления и уменьшение опасности пробоя при травлении. этом случае травящий раствор служит для значительно большего количества плат. 195 13* На рис. 5.7-5.10 показано изменение ширины проводников, подтравливание и разрастание при каждом варианте процесса. Одним из факторов, стимулирующих эти явления, считается электрохимическое действие покрытия, образующего металлический резист, которое во время травления создает гальваническую пару. Частицы, образующие разрастание проводников на верхней стороне платы, изготовленной способом избирательного наращивания (нижняя сторона платы подвергается пайке), должны быть удалены, если плата предназначена для авиационной или другой аппаратуры, эксплуатирующейся в условиях сильной вибрации. В некоторых случаях эти частицы могут схватываться с частично поли-меризованным стеклотекстолитом (в стадии В). Паяемость и внешний вид. В обоих случаях они будут одинаковы, каждый процесс должен обеспечивать хорошую способность плат к пайке. Мнение, что платы с избирательным наращиванием выглядят лучше, основано на чистоте поверхности (зеркальный блеск) и четкости контуров проводников и площадок. Платы, гальванически покрытые в пирофосфатном или другом, дающем блестящее покрытие, электролите, имеют хороший вид при любом варианте процесса. Однако платы с избирательным наращиванием будут иметь меньше включений меди на неметаллизированных участках, так как при этом способе обычно применяется сеткография. Кроме того, если органический резист нанесен хорошо, четкость краев проводников будет лучше на платах с избирательным наращиванием. НАНЕСЕНИЕ РЕЗИСТИВНЫХ ИЗОБРАЖЕНИЙ Фотографический и сеткографический способы нанесения резиста являются наиболее распространенными в производстве печатных схем. (Подробное описание процессов см. в гл. 4.) 11. Фотографический способ нанесения резиста Фотохимический метод изготовления печатных плат. Простейший метод применения фотографического процесса известен как фотохимический метод изготовления печатного монтажа. Заготовка платы покрывается светочувствительной эмульсией погружением, пульверизацией или на центрифуге, затем сушится. После сушки производится экспонирование через фотонегатив (наиболее часто) или фотопозитив. Светочувствительные эмульсии, требующие использования фотонегатива, полимеризуются и затвердевают под действием света. Эмульсии, требующие фотопозитива, под действием света становятся растворимыми
|
© 2010 KinteRun.ru автоматическая электрика
Копирование материалов разрешено при наличии активной ссылки. |